IRS2308STRPBF vs IR2104SPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2308STRPBF بواسطة Infineon و IR2104SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2308STRPBF IR2104SPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High and Low Side
Driver Type High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
عدد المخارج 2 (High Side and Low Side) —
High-Side Offset Voltage Up to +600 V —
Supply Voltage (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL
Delay Time (typical) 220 ns —
Propagation Delay Matching [DATA_NEEDED: propagation delay matching spec] —
Bootstrap Supply Floating channel designed for bootstrap operation —
UVLO Undervoltage lockout on VCC and VBS —
Protection Features Shoot-through protection, UVLO, negative transient voltage tolerance, dV/dt immunity —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width) 8-pin SOIC
نوع التركيب Surface Mount —
Packaging Tape and Reel —
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates lead-free)
الوظيفة — Half-bridge gate driver
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Input Type — Logic (non-inverting)
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Range (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current — 130 mA typical
Output Sink Current — 270 mA typical
Propagation Delay — 680 ns typical
زمن الصعود — 160 ns typical
زمن السقوط — 60 ns typical
Undervoltage Lockout — Yes (VCC UVLO)
Deadtime — Internally set
Cross-Conduction Prevention — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر