ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC025N08NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N06NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 198 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 2.55 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max 3.9 V —
Total Gate Charge (Qg) Max 96 nC —
Power Dissipation @ TA 3 W —
Power Dissipation @ TC 217 W —
العلبة PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C
Polarity N-Channel —
حالة RoHS Compliant Compliant
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر