ISC0802NLSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC0802NLSATMA1 بواسطة Infineon و ISC011N03L5SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC0802NLSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |