ISC0802NLSATMA1 vs ISC011N03L5SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC0802NLSATMA1 tarafından Infineon ve ISC011N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISC0802NLSATMA1 | ISC011N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V |
| Part Number | ISC0802NLSATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Power MOSFET) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 150 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 22 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 3.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 125 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | — | 37 A |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 100 A |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | — | 96 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C (TJ) |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |