K3LKCKC0BM-MGCP vs K3KL8L80CM-MGCT مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K3LKCKC0BM-MGCP بواسطة Samsung Electronics و K3KL8L80CM-MGCT بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K3LKCKC0BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP ✓ نشط
Samsung Electronics
K3KL8L80CM-MGCT K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT - 32Gb LPDDR5X SDRAM x32 | Samsung

K3KL8L80CM-MGCT ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K3LKCKC0BM-MGCP K3KL8L80CM-MGCT
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة LPDDR5 SDRAM (DRAM) LPDDR5X SDRAM
حجم الذاكرة 64 Gbit —
Memory Organization 2G x32 —
معدل البيانات 6400 Mbps —
الواجهة Parallel LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension)
Technology CMOS —
Supply Voltages 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
درجة حرارة التشغيل -25 C to +85 C -25C to +85C
العلبة FBGA-315 (PBGA315) 315-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Volatile / Non-Volatile Volatile —
حالة RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: clock frequency] 3750 MHz
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Power Consumption - Active [DATA_NEEDED: active power] —
Power Consumption - Standby [DATA_NEEDED: standby power] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL Level]
Density — 32 Gbit (4 GB)
التنظيم — x32
Max Data Rate — 7500 Mbps
Core Supply Voltage (VDD) — 1.05 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 900 mV (500 mV low-power mode)
VDD2 Supply Voltage — 1.8 V
Application Segment — Mobile, Automotive, On-device AI, PC
Power Efficiency — ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر