K4A4G085WD-BCRC vs MT40A512M8RH-075E:B مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD-BCRC بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M8RH-075E:B بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD-BCRC | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| معدل البيانات | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 (TFBGA) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| نوع الواجهة | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| جهد المرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |