K4A4G085WD-BCRC vs MT40A512M8RH-075E:B तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और MT40A512M8RH-075E:B द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WD-BCRC | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM (D-die) | DDR4 SDRAM |
| डेटा दर | 2400 Mb/s (PC2400) | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 (TFBGA) | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Number of Terminals | 78 | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| रेफ़रेंस वोल्टेज | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |