K4A8G085WB-BICR vs H5AN8G6NDJR-XNC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BICR بواسطة Samsung Electronics و H5AN8G6NDJR-XNC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial
K4A8G085WB-BICR ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BICR | H5AN8G6NDJR-XNC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $55.68 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 8 | — |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | 3200 Mbps |
| جهد التغذية | 1.2 V (VDD/VDDQ) | — |
| Number of Banks | 16 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| عدد الأطراف | 78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Temperature Grade | Industrial (I-grade) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] | — |
| Die / Process | Samsung 8Gb B-die DDR4 | — |
| Speed Grade | DDR4-2400 (PC4-19200) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Refresh Management | Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (max 1.26 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Input/Output Type | — | COMMON |
| RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |