K4A8G085WC-BCRC vs K4A8G085WB-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WC-BCRC | K4A8G085WB-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2400 Mbps |
| العلبة | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Access Time | — | 0.175 ns |
| Technology | — | CMOS |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |