K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BMK0 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BHMA بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BMK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646D-BHMA ✓ نشط
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung

K4B4G1646D-BMK0 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4B4G1646D-BHMA K4B4G1646D-BMK0
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
معدل البيانات 1866 Mbps 1600 Mbps
جهد التغذية 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
العلبة 96-ball FBGA 96FBGA (TFBGA)
درجة حرارة التشغيل -40°C to +95°C (TC) -40°C to 95°C
زمن الوصول CAS 13 (at 1866 Mbps) —
Burst Length 8 and 4 —
Number of Terminals 96 96
Lead-Free Yes Yes
خالٍ من الهالوجين Yes Yes
RoHS Compliant Yes Yes
Die Version D-die D-die
Refresh Mode Auto and Self Refresh —
Speed Grade — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Voltage — 1.35 V
Package Code — TFBGA
Number of Functions — 1

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر