K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-GF55T مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K6X0808C1D-GF55T00 بواسطة Samsung Electro-Mechanics و K6X0808C1D-GF55T بواسطة Samsung Electro-Mechanics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ نشطSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K6X0808C1D-GF55T00 | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electro-Mechanics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| حجم الذاكرة | 256 Kbit | 256 Kbit |
| التنظيم | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | — |
| Technology | CMOS | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 5.0 V |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| Data Retention | Low data retention voltage supported | — |
| العلبة | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP (450 mil) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging Variant | Tape & Reel (T00 suffix) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Process Technology | — | Full CMOS |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Control Signals | — | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | — | 15 bit |
| عرض ناقل البيانات | — | 8 bit |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |