K6X0808C1D-GF55T00 vs K6X0808C1D-GF55T तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-GF55T00 द्वारा Samsung Electro-Mechanics और K6X0808C1D-GF55T द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ सक्रिय
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T
ब्रांड Samsung Electro-Mechanics Samsung Electro-Mechanics
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
मेमोरी आकार 256 Kbit 256 Kbit
संगठन 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Clock Frequency N/A (asynchronous) —
Technology CMOS —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: supply voltage range] 5.0 V
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Data Retention Low data retention voltage supported —
पैकेज 28-SOP (450 mil) 28-SOP (450 mil)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Variant Tape & Reel (T00 suffix) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Process Technology — Full CMOS
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Control Signals — CE, OE, WE
Address Bus Width — 15 bit
डेटा बस चौड़ाई — 8 bit
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध