K9CHGY8S5C-CCK0 vs K9PRGY8S7M-CCK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9CHGY8S5C-CCK0 بواسطة Samsung Electronics و K9PRGY8S7M-CCK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung
K9CHGY8S5C-CCK0 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | K9CHGY8S5C-CCK0 | K9PRGY8S7M-CCK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Product Type | NAND Flash Memory | — |
| العلبة | BGA-316 | BGA (surface mount) |
| التنظيم | x8 (8-bit data access), quad CE configuration | — |
| Chip Enable Count | 16 (CE_n) | — |
| Pin Reduction | Not used | — |
| Supply Rail VCC | 1.83 V | — |
| Supply Rail (secondary) | 1.84 V | — |
| Supply Rail VCCQ-class | 2.96 V | — |
| Program/Erase Supply Rail | 12 V domain | — |
| Memory Technology | [DATA_NEEDED: cell type / V-NAND generation] | — |
| Density | [DATA_NEEDED: total density in Gb] | [DATA_NEEDED: density] |
| نوع الواجهة | [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI, max data rate] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA reflow) | Surface Mount |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead free / RoHS compliant |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E endurance] | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] |
| نوع الذاكرة | — | NAND Flash |
| Memory Bus Width | — | [DATA_NEEDED: bus width] |
| جهد التغذية | — | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| الواجهة | — | [DATA_NEEDED: interface type] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: BGA ball count] |