M25P80-VMN3PB vs M25PX80-VMN3TPB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology و M25PX80-VMN3TPB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M25PX80-VMN3TPB M25PX80-VMN3TPB - 8Mb SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25PX80-VMN3TPB - 8Mb SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25PX80-VMN3TPB Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل M25P80-VMN3PB M25PX80-VMN3TPB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي Obsolete
نوع الذاكرة FLASH - NOR Memory IC NOR Flash - Serial SPI
حجم الذاكرة 8 Mbit (1M x 8) 8 Mbit (1 M x 8)
الواجهة SPI SPI
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class)
Page Program Time 0.64 ms typ (up to 256 bytes) —
التنظيم 1M x 8 bit 1 M x 8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة 8-SO (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width)
Erase Capability Sector erase and bulk erase —
Write Protect Hardware write protect (W pin) —
Hold Function Yes (HOLD pin) —
Access Time 8 ns [DATA_NEEDED: access/clock-to-output time]
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (LCSC listing); automotive flow per Arrow listing
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Read Bandwidth Feature — Dual input/output commands (2x read/program bandwidth)
Write Protection — Advanced write protection mechanisms
Packaging — Tape & Reel (TPB suffix)
Qualification — AEC-Q100 (per Arrow.com listing)
Part Status — Obsolete
Family — M25PX80
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر