M29F160FB55N3F2 vs M29F160FT55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F160FB55N3F2 | M29F160FT55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| نوع الذاكرة | Parallel NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 16777 kbits |
| التنظيم | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | — |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| جهد التغذية | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant (E suffix) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Memory Organization | — | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) |
| Boot Block | — | Top Boot Block |
| Temperature Grade | — | Automotive Grade 3 |
| العلبة | — | 48-TSOP I |
| Bus Width | — | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) |
| Program/Erase | — | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) |
| Factory Erase State | — | All bits erased to 1 |