M29F160FB55N3F2 vs M29F160FT55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FB55N3F2 M29F160FT55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Flash
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
نوع الذاكرة Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16 Mbit (16777 kbits)
التنظيم 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits 1M x 16 / 2M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
جهد التغذية 5 V —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
درجة حرارة التشغيل -40 to +125 C -40C to +125C
الواجهة Parallel Parallel
Package Type 48-TSOP —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Termination Finish Lead-free (F2 suffix) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Block Protection Hardware boot block protection —
حالة RoHS Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speed Grade (from MPN) 55 (55 ns) —
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
العلبة — 48-Pin TSOP
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر