M29F200FB55N3E2 vs M29F200FT55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FB55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FB55N3E2 M29F200FT55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
التنظيم 256K x 8 / 128K x 16 256K x 8-bit / 128K x 16-bit
Number of Words 128 K 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Top Boot Block
الواجهة Parallel, 8/16-bit selectable Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 48-pin TSOP I —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC NOR —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tray Tape & Reel (TR suffix)
Program/Erase — Embedded byte/word program algorithms
العلبة — 48-pin TSOP
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر