M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55M3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FB55N3F2 M29F200FT55M3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
التنظيم 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 128 K (x16 mode) —
Bits per Word 16 bits —
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Top Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I 44-pin SO (TSOP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
الواجهة Parallel —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر