M29F200FT55M3E2 vs M29F200FB55M3E2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55M3E2 بواسطة Micron Technology و M29F200FB55M3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M29F200FB55M3E2 M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FT55M3E2 M29F200FB55M3E2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) Flash - NOR Memory IC
حجم الذاكرة 2 Mbit (2097 kbits) —
التنظيم 128K x 16 bits 128K x 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
الواجهة Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Program / Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 44-SO (SOP-44) 44-SO (SOP44)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC (Single-Level Cell) —
Erase Block Structure Boot block sector architecture —
Programming Mode Byte / Word —
Status Signaling Data polling / toggle bit —
حالة RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
حالة دورة الحياة End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market —
Density — 2097 kbits (2 Mbit)
Number of Words — 128 k
Bits per Word — 16 bits
العلامة التجارية — Micron Technology Inc.
Programming Voltage — [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage]
Sector Organization — [DATA_NEEDED: sector/erase block organization]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر