M29F200FT55M3E2 vs M29F200FB55M3E2 So sánh
So sánh chi tiết song song của M29F200FT55M3E2 bằng Micron Technology và M29F200FB55M3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron
M29F200FT55M3E2 ✗ Cuối đờiMicron Technology
M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron
M29F200FB55M3E2 ✗ Cuối đờiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29F200FT55M3E2 | M29F200FB55M3E2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Cuối chu kỳ cuộc sống | Cuối chu kỳ cuộc sống |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash (Parallel) | Flash - NOR Memory IC |
| Kích thước bộ nhớ | 2 Mbit (2097 kbits) | — |
| Tổ chức | 128K x 16 bits | 128K x 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Bottom Boot Block |
| Program / Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| Nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 44-SO (SOP-44) | 44-SO (SOP44) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Cell Type | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Erase Block Structure | Boot block sector architecture | — |
| Programming Mode | Byte / Word | — |
| Status Signaling | Data polling / toggle bit | — |
| Trạng thái RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Trạng thái vòng đời | End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market | — |
| Density | — | 2097 kbits (2 Mbit) |
| Number of Words | — | 128 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Thương hiệu | — | Micron Technology Inc. |
| Programming Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] |
| Sector Organization | — | [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |