M29F200FT55M3F2 vs M29F200FT55M3E2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55M3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3E2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
التنظيم 256K x 8 / 128K x 16 128K x 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
العلبة 44-pin SO (TSOP) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
حجم الذاكرة — 2 Mbit (2097 kbits)
الواجهة — Parallel
Program / Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 44-SO (SOP-44)
Memory Cell Type — SLC (Single-Level Cell)
Erase Block Structure — Boot block sector architecture
Programming Mode — Byte / Word
Status Signaling — Data polling / toggle bit
حالة دورة الحياة — End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر