M29F200FT55M3F2 vs M29F200FT55M3E2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F200FT55M3F2 제조: Micron Technology 및 M29F200FT55M3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 ✗ 단종

사양 비교

파라미터 M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3E2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 수명 종료
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.85 $3.83
메모리 유형 Parallel NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
메모리 구성 256K x 8 / 128K x 16 128K x 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Programming Interface Embedded program/erase controller, byte or word —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Yes —
패키지 44-pin SO (TSOP) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Number of Words (x16 mode) 128 K —
Bits per Word (x16 mode) 16 bits —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
메모리 크기 — 2 Mbit (2097 kbits)
인터페이스 — Parallel
Program / Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 44-SO (SOP-44)
Memory Cell Type — SLC (Single-Level Cell)
Erase Block Structure — Boot block sector architecture
Programming Mode — Byte / Word
Status Signaling — Data polling / toggle bit
수명 주기 상태 — End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청