M29F200FT55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29F200FT55N3F2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| التنظيم | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| العلبة | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (TR) |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |