M29W064FT70N3F vs M29W800FB70ZA3SF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W064FT70N3F بواسطة Micron Technology و M29W800FB70ZA3SF بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W064FT70N3F M29W800FB70ZA3SF
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash —
Density 64 Mbit 8 Mb (1 MB)
التنظيم 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase, read 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
الواجهة Parallel —
Boot Block Configuration Top boot block (FT) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I 48-TFBGA (6x8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Programming Method Command set / data polling / toggle bit —
Block Protection Yes, with temporary unprotection —
Product Longevity Program No —
Width x8/x16 —
حالة RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Organization — 1M x 8 / 512K x 16
نوع الواجهة — Parallel
Boot Block Location — Bottom boot (FB)
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch]
Byte/Word Organization Pin — Yes (BYTE pin selects x8/x16)
Programming Time — [DATA_NEEDED: programming time]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
XIP Support — Yes (parallel random-access, execute-in-place capable)
Reel Option — Available (M29W800FB70ZA3SF TR)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر