M29W064FT70N3F vs M29W800FB70ZA3SF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W064FT70N3F द्वारा Micron Technology और M29W800FB70ZA3SF द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W800FB70ZA3SF ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W064FT70N3F | M29W800FB70ZA3SF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | — |
| Density | 64 Mbit | 8 Mb (1 MB) |
| संगठन | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase, read | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 48-TSOP I | 48-TFBGA (6x8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Method | Command set / data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes, with temporary unprotection | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Width | x8/x16 | — |
| RoHS स्थिति | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Organization | — | 1M x 8 / 512K x 16 |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (FB) |
| Ball Pitch | — | [DATA_NEEDED: ball pitch] |
| Byte/Word Organization Pin | — | Yes (BYTE pin selects x8/x16) |
| Programming Time | — | [DATA_NEEDED: programming time] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| XIP Support | — | Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) |
| Reel Option | — | Available (M29W800FB70ZA3SF TR) |