M29W160ET70N3E vs M29W160ET70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160ET70N3E M29W160ET70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
حجم الذاكرة 16 Mbit 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
التنظيم 2M x 8 / 1M x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel —
جهد التغذية 3 V / 3.3 V (nominal) 3 V / 3.3 V
Boot Block Location Top boot —
العلبة 48-TSOP 48-pin TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Bus Width Selection BYTE# pin, x8 or x16 —
Sector Protection Hardware boot block protection —
Programming Type Automatic program and erase —
Packing Tray (RoHS-compliant package, standard packing) —
حالة RoHS Compliant (E suffix) RoHS-compliant package (F option)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
Bus Configuration — x8 / x16 selectable
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape and Reel
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر