M29W400FB55N3E vs M29W400FT55N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W400FB55N3E بواسطة Micron Technology و M29W400FT55N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W400FB55N3E M29W400FT55N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة EEPROM Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (parallel) Flash - NOR Memory IC
Density 4 Mbit (4194 kbits) —
التنظيم 512K x 8 bit / 256K x 16 bit —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
الواجهة Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
حالة RoHS Compliant —
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
حجم الذاكرة — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 3 (168 Hours)
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر