M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FT70ZA3SF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70ZA3SE بواسطة Micron Technology و M29W800FT70ZA3SF بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron

M29W800FB70ZA3SE Obsolete
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SF M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FB70ZA3SE M29W800FT70ZA3SF
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash
حجم الذاكرة 8 Mbit —
التنظيم 1 M x 8 / 512 K x 16 —
Access Time 70 ns 70 ns
جهد التغذية 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) 2.7 V to 3.6 V
Technology SLC NOR —
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
الواجهة Parallel, address/data bus Parallel
العلبة 48-TFBGA (6 x 8 mm) 48-TFBGA (6 x 8 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q100 automotive —
Packaging Tray —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read] [DATA_NEEDED: active read current]
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby] [DATA_NEEDED: standby current]
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 8 Mbit
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Memory Organization — [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention years]
Package Body Size — 6 x 8 mm
Ball Pitch — 0.80 mm

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر