M29W800FB70ZA3SF vs M29W064FT70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70ZA3SF بواسطة Micron Technology و M29W064FT70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ نشط
Micron Technology
M29W064FT70N3F M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F - 64Mb 3V NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FB70ZA3SF M29W064FT70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Density 8 Mb (1 MB) 64 Mbit
Memory Organization 1M x 8 / 512K x 16 —
نوع الواجهة Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V up to 3.6 V for program, erase, read
Boot Block Location Bottom boot (FB) —
العلبة 48-TFBGA (6x8) 48-TSOP I
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Byte/Word Organization Pin Yes (BYTE pin selects x8/x16) —
Programming Time [DATA_NEEDED: programming time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
XIP Support Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Reel Option Available (M29W800FB70ZA3SF TR) —
نوع الذاكرة — NOR Flash
التنظيم — 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
الواجهة — Parallel
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Programming Method — Command set / data polling / toggle bit
Block Protection — Yes, with temporary unprotection
Product Longevity Program — No
Width — x8/x16

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر