M29W800FB70ZA3SF vs M29W064FT70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FB70ZA3SF 제조: Micron Technology 및 M29W064FT70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FB70ZA3SF | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.45 | $6.30 |
| Density | 8 Mb (1 MB) | 64 Mbit |
| Memory Organization | 1M x 8 / 512K x 16 | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | up to 3.6 V for program, erase, read |
| Boot Block Location | Bottom boot (FB) | — |
| 패키지 | 48-TFBGA (6x8) | 48-TSOP I |
| Ball Pitch | [DATA_NEEDED: ball pitch] | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Byte/Word Organization Pin | Yes (BYTE pin selects x8/x16) | — |
| Programming Time | [DATA_NEEDED: programming time] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| XIP Support | Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Reel Option | Available (M29W800FB70ZA3SF TR) | — |
| 메모리 유형 | — | NOR Flash |
| 메모리 구성 | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Boot Block Configuration | — | Top boot block (FT) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |