MMBT3904 vs MMBT3904,215 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMBT3904 بواسطة onsemi و MMBT3904,215 بواسطة Nexperia. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MMBT3904 MMBT3904,215
العلامة التجارية onsemi Nexperia
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور NPN NPN
العلبة SOT-23 (TO-236AB), 3 pins SOT-23 (TO-236AB)
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 40 V 40 V
جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) 60 V 60 V
جهد الباعث-القاعدة (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW to 350 mW (board-dependent) —
تردد الانتقال (ft) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA) 300 MHz (minimum)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V) 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V)
Noise Figure 5 dB (max) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -65 °C to +150 °C
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Complementary PNP Part MMBT3906 —
Lead-Free / RoHS Yes (fully RoHS compliant per datasheet) —
Automotive Grade (AEC-Q101) Qualified by selected suppliers —
Power Dissipation (Pd) — 250 mW
جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) — 200 mV (typical at IC = 10 mA)
Noise Figure (NF) — 5 dB (maximum)
عدد الأطراف — 3
PNP Complement — MMBT3906
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر