MPX2102GP vs MPX2100GP مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX2102GP بواسطة NXP Semiconductors و MPX2100GP بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MPX2102GP | MPX2100GP |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI) | 0 to 14.5 psi (0 to 100 kPa) |
| Maximum Overpressure | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] | 58.02 psi (400 kPa) |
| Full-Scale Output (VoutFS) | 40 mV at 10 V excitation | — |
| نطاق جهد الخرج | 0 mV to 40 mV | — |
| Excitation Voltage | 10 V typical (DC) | — |
| Sensitivity | 0.4 mV/kPa nominal | — |
| Linearity | 1.0 % maximum | — |
| Pressure Port | Male 0.19 in (4.93 mm) tube | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Storage Temperature | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Temperature Compensation Range | 0 C to +85 C (on-chip) | — |
| العلبة | 4-SIP Module (Unibody GP) | 4-SIP Module (Unibody through-hole) |
| نوع التركيب | Through-Hole SIP | Through-Hole |
| Sensor Technology | Silicon piezoresistive, monolithic diaphragm | — |
| Offset (null) | 0 mV to 1 mV typical | — |
| حالة RoHS | Compliant | unknown |
| نوع الخرج | — | Wheatstone Bridge (analog voltage, ratiometric) |
| Full-Scale Span | — | 40 mV typical at 10 V supply |
| Offset | — | 0 mV minimum at 0 kPa |
| جهد التغذية | — | 10 V typical (ratiometric) |
| Maximum Operating Current | — | 6 mA |
| Port Size | — | Male 0.19 in (4.93 mm) barbed tube |
| Port Style | — | Barbed |
| Temperature Compensation | — | On-chip, calibrated |
| Technology | — | Silicon piezoresistive, MEMS |
| Termination Style | — | PCB (SIP pins) |