MPXM2010D vs MPXM2010GS مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXM2010D بواسطة NXP Semiconductors و MPXM2010GS بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MPXM2010D | MPXM2010GS |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Pressure Type | Differential | Vented Gauge |
| Operating Pressure | 1.45 PSI (10 kPa) | — |
| Accuracy | ±1% | — |
| نوع الخرج | Wheatstone Bridge | Wheatstone Bridge (analog, differential mV) |
| جهد الخرج | 0 mV to 25 mV at 10 V supply | — |
| جهد التغذية | 10 V to 16 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +125 °C | -40 °C to +125 °C |
| Temperature Compensation Range | 0 °C to +85 °C | — |
| العلبة / الحالة | 5-SMD Module | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (PCB) | Surface Mount |
| Termination Style | PCB | — |
| Family Name | MPXM2010D (MPX2010 series) | — |
| Technology | Piezoresistive silicon, on-chip calibrated | — |
| Port Configuration | Dual vertical-port tubing (modular 'M') | Top port, male 0.12" (2.97 mm) tube |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Pressure Range | — | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | — | [DATA_NEEDED: max overload pressure] |
| Output Voltage Span | — | 0 mV to 25 mV at 10 V excitation |
| Sensitivity | — | 2.5 mV/kPa (nominal at 10 V) |
| Excitation Voltage | — | 10 V (max 16 V per NXP datasheet) |
| تيار التغذية | — | 6 mA (typical at 10 V excitation) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Linearity | — | [DATA_NEEDED: linearity %] |
| Temperature Compensation | — | On-chip (laser-trimmed thin-film) |
| العلبة | — | 5-SMD Module, top port |
| Packing | — | Reel-Reel 13" Q2 NDP |
| Min Package Quantity | — | 400 |
| Min Order Quantity | — | 400 |