MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16TB-062E:R مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16JY-075E بواسطة Micron Technology و MT40A512M16TB-062E:R بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16JY-075E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| حالة المخزون | — | In Stock |
| سعر الوحدة (USD) | — | $60.00 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1600 MHz |
| معدل البيانات | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| العلبة | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| الميزات | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| زمن الوصول CAS | — | 22 |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| عرض ناقل البيانات | — | 16 bits |