MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16TB-062E:R तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16JY-075E द्वारा Micron Technology और MT40A512M16TB-062E:R द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16JY-075E | MT40A512M16TB-062E:R |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $60.00 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | 8 Gbit (512M x 16) |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1600 MHz |
| डेटा दर | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | 1.2V ±60mV |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| पैकेज | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| विशेषताएँ | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | 1.2V pseudo open-drain |
| CAS लेटेंसी | — | 22 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| डेटा बस चौड़ाई | — | 16 bits |