MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A512M16LY-062E-ATE مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16LY-062E:E بواسطة Micron Technology و MT40A512M16LY-062E-ATE بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ نشط
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E-ATE
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit (512M x 16) 8 Gbit
التنظيم x16 512M x 16
Clock Frequency 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) 1.6 GHz
معدل البيانات 3200 MT/s 3200 MT/s (DDR4-3200)
Access Time (tRCD/tRP) 19 ns (per DigiKey listing) —
Voltage - Supply (VDD) 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max —
Voltage - VPP 2.5 V (typical) —
الواجهة Parallel (LVCMOS / SSTL) —
العلبة / الحالة 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] -40C to +105C (automotive)
Refresh Cycles 65536 —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes (ODT)
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes (data channel) —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
Auto Self-Refresh Yes (LPASR) —
Asynchronous Reset Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant
Access Time — 19 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VPP) — 2.5 V
العلبة — 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Ball Pitch — 0.8 mm
Speed Grade — -062E (0.625 ns tCK)
Data Mask — Yes (DM)
Refresh Mode — Auto self-refresh

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر