MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A512M16LY-062E-ATE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16LY-062E:E 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16LY-062E-ATE 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16LY-062E:E | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $34.99 | $34.10 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | x16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) | 1.6 GHz |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Access Time (tRCD/tRP) | 19 ns (per DigiKey listing) | — |
| Voltage - Supply (VDD) | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max | — |
| Voltage - VPP | 2.5 V (typical) | — |
| 인터페이스 | Parallel (LVCMOS / SSTL) | — |
| 패키지 / 케이스 | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] | -40C to +105C (automotive) |
| Refresh Cycles | 65536 | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (ODT) |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (data channel) | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes (LPASR) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| 패키지 | — | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| Data Mask | — | Yes (DM) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |