MT40A512M16TD-062E AUT:R vs NT5AD512M16C4-JRU مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16TD-062E AUT:R بواسطة Micron Technology و NT5AD512M16C4-JRU بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ نشط
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT40A512M16TD-062E AUT:R NT5AD512M16C4-JRU
العلامة التجارية Micron Technology Nanya Technology
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $83.00
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit —
التنظيم 512M x 16 512M x 16
الواجهة Parallel CMOS, DDR4
Clock Frequency / Data Rate 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
جهد التغذية 1.2 V —
العلبة 96-FBGA (7.5 x 13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 (AUT grade) —
Packaging Suffix -R (Tape & Reel) —
Speed Grade -062E —
Technology Family DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval spec] —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +95 C (industrial grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
حالة RoHS — Green Product (per Nanya product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر