MT40A512M16TD-062E AUT:R vs NT5AD512M16C4-JRU तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16TD-062E AUT:R द्वारा Micron Technology और NT5AD512M16C4-JRU द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A512M16TD-062E AUT:R MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R - 8Gbit DDR4 SDRAM | Micron

MT40A512M16TD-062E AUT:R ✓ सक्रिय
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A512M16TD-062E AUT:R NT5AD512M16C4-JRU
ब्रांड Micron Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $83.00
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit —
संगठन 512M x 16 512M x 16
इंटरफ़ेस Parallel CMOS, DDR4
Clock Frequency / Data Rate 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V —
पैकेज 96-FBGA (7.5 x 13 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 (AUT grade) —
Packaging Suffix -R (Tape & Reel) —
Speed Grade -062E —
Technology Family DDR4 SDRAM (SDR/DDR family) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh interval spec] —
Density — 8 Gbit
Clock Frequency — 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +95 C (industrial grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS स्थिति — Green Product (per Nanya product page)

डेटाशीट और संसाधन

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