MT53B128M32D1NP-062 vs MT53B128M32D1DS-062 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT53B128M32D1NP-062 بواسطة Micron Technology و MT53B128M32D1DS-062 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT53B128M32D1NP-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT53B128M32D1NP-062 ✓ نشطMicron Technology
MT53B128M32D1DS-062 - 4Gbit LPDDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT53B128M32D1DS-062 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT53B128M32D1NP-062 | MT53B128M32D1DS-062 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Mobile LPDDR4 SDRAM | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 128M x 32 | 128M x 32 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| العلبة | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | JEDEC LPDDR4 | LPDDR4 (JEDEC low-power DDR) |
| Speed Grade | -062 | -062 |
| Operating Temperature (AUT:A variant) | -40C to +125C (TC) | — |
| Operating Temperature (AAT:A variant) | -40C to +105C (TC) | — |
| Automotive Qualification (AUT:A variant) | AEC-Q100 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR variants) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (per JLCPCB listing) |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Data Rate Class | [DATA_NEEDED: MT/s data rate] | — |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gbit |
| معدل البيانات | — | DDR-3200 (3200 MT/s class) |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.1 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range for base suffix] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tAA access time] |
| Refresh Scheme | — | [DATA_NEEDED: refresh scheme 1x/2x/4x] |
| Memory Format | — | Volatile DRAM |
| Package Case Size | — | 10 mm x 14.5 mm |