MT53E2G32D4DE-046 vs MT53E2G32D4DE-046 AUT:C مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT53E2G32D4DE-046 بواسطة Micron Technology و MT53E2G32D4DE-046 AUT:C بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT53E2G32D4DE-046 | MT53E2G32D4DE-046 AUT:C |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Mobile LPDDR4X SDRAM | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| حجم الذاكرة | 64 Gbit (8 GB) | 64 Gbit |
| التنظيم | 2G x 32 | 2G x 32 |
| Clock Frequency | 2133 MHz (2.133 GHz) | 2.133 GHz |
| Access Time (Cycle) | 3.5 ns | — |
| معدل البيانات | 4266 MT/s max class (-046 speed bin per LPDDR4X interface) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.06 V to 1.17 V | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Operating Current (Idd) | 168 mA | — |
| Standby Current | 2 mA | [DATA_NEEDED: standby current] |
| العلبة | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (WT grade) | -25C to +85C | — |
| Operating Temperature (AUT grade) | -40C to +125C | — |
| Operating Temperature (AIT grade) | -40C to +95C | — |
| الميزات | Auto precharge, auto self-refresh, ZQ calibration, built-in temperature sensor, write leveling, data mask, asynchronous reset | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| Bus Width | — | 32 bit |
| Grade | — | Automotive (AUT) |
| Die Revision | — | C |
| Supply Voltage VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Supply Voltage VDDQ | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: tray/reel quantity] |