N25Q016A11ESCA0F vs N25Q032A11ESEA0F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q016A11ESCA0F بواسطة Micron Technology و N25Q032A11ESEA0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q016A11ESCA0F N25Q016A11ESCA0F - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron Technology

N25Q016A11ESCA0F - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron Technology

N25Q016A11ESCA0F ✓ نشط
Micron Technology
N25Q032A11ESEA0F N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q016A11ESCA0F N25Q032A11ESEA0F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة SPI NOR Flash NOR Flash, Serial SPI
حجم الذاكرة 16 Mbit (2 Mbyte) —
التنظيم 2M x 8 32M x 1 / 16M x 2 / 8M x 4 bit
الواجهة SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI (Multiple I/O)
أقصى تردد للساعة 108 MHz —
العلبة 8-SO (SOIC-8) 8-SOP2 (SOP-II, 208 mil)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage range] 1.7 V to 2.0 V (1.8 V nominal)
Page Size (Program) [DATA_NEEDED: page size] —
Sector Size [DATA_NEEDED: sector size] —
Erase Block Architecture [DATA_NEEDED: subsector/sector/block sizes] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Access Time [DATA_NEEDED: initial access latency] 7 ns
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program and sector erase times] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Density — 32 Mb (4 MB)
Max Clock Frequency — 108 MHz
Sector Erase Size — 4 KB
عدد الدبابيس — 8
Storage Temperature — -65C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Protocol Support — Standard, Dual Output, Quad Output SPI

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر