N25Q016A11ESCA0F vs N25Q032A11ESEA0F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना N25Q016A11ESCA0F द्वारा Micron Technology और N25Q032A11ESEA0F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
N25Q016A11ESCA0F N25Q016A11ESCA0F - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron Technology

N25Q016A11ESCA0F - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron Technology

N25Q016A11ESCA0F ✓ सक्रिय
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N25Q032A11ESEA0F N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर N25Q016A11ESCA0F N25Q032A11ESEA0F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार SPI NOR Flash NOR Flash, Serial SPI
मेमोरी आकार 16 Mbit (2 Mbyte) —
संगठन 2M x 8 32M x 1 / 16M x 2 / 8M x 4 bit
इंटरफ़ेस SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI (Multiple I/O)
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 108 MHz —
पैकेज 8-SO (SOIC-8) 8-SOP2 (SOP-II, 208 mil)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
सप्लाई वोल्टेज [DATA_NEEDED: supply voltage range] 1.7 V to 2.0 V (1.8 V nominal)
Page Size (Program) [DATA_NEEDED: page size] —
Sector Size [DATA_NEEDED: sector size] —
Erase Block Architecture [DATA_NEEDED: subsector/sector/block sizes] —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Access Time [DATA_NEEDED: initial access latency] 7 ns
Program/Erase Speed [DATA_NEEDED: page program and sector erase times] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Density — 32 Mb (4 MB)
Max Clock Frequency — 108 MHz
Sector Erase Size — 4 KB
पिन की संख्या — 8
Storage Temperature — -65C to +150C
Packaging — Tape & Reel
Protocol Support — Standard, Dual Output, Quad Output SPI

डेटाशीट और संसाधन

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