N25Q064A11ESEA0F vs N25Q032A13EF4A0F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q064A11ESEA0F بواسطة Micron Technology و N25Q032A13EF4A0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | N25Q064A11ESEA0F | N25Q032A13EF4A0F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Flash - NOR Memory | FLASH - NOR Memory IC (Serial) |
| حجم الذاكرة | 64 Mbit | 32 Mbit (4 MB) |
| التنظيم | 64M x 1-bit / 32M x 2-bit / 16M x 4-bit | — |
| الواجهة | SPI, Dual SPI, Quad SPI | SPI (Multi-I/O) |
| Supply Voltage (VCC) | 1.8 V | — |
| أقصى تردد للساعة | 108 MHz | — |
| Access Time | 8 ns | [DATA_NEEDED: access time] |
| Technology | 65 nm NOR | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة | 8-Pin SOIC Wide (SOIC W) | 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T&R) |
| Qualification | Automotive, AEC-Q100 | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 108 MHz |
| جهد التغذية | — | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Read Modes | — | Standard, Dual, Quad SPI |
| Erase Granularity | — | 4 KB subsector / 64 KB sector |
| Grade | — | Automotive |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Program/Erase Speed | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| حالة RoHS | — | Compliant |