N25Q064A11ESEA0F vs N25Q032A13EF4A0F 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q064A11ESEA0F 제조: Micron Technology 및 N25Q032A13EF4A0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q064A11ESEA0F | N25Q032A13EF4A0F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.19 | $1.25 |
| 메모리 유형 | Flash - NOR Memory | FLASH - NOR Memory IC (Serial) |
| 메모리 크기 | 64 Mbit | 32 Mbit (4 MB) |
| 메모리 구성 | 64M x 1-bit / 32M x 2-bit / 16M x 4-bit | — |
| 인터페이스 | SPI, Dual SPI, Quad SPI | SPI (Multi-I/O) |
| Supply Voltage (VCC) | 1.8 V | — |
| 최대 클록 주파수 | 108 MHz | — |
| Access Time | 8 ns | [DATA_NEEDED: access time] |
| Technology | 65 nm NOR | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 8-Pin SOIC Wide (SOIC W) | 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T&R) |
| Qualification | Automotive, AEC-Q100 | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 108 MHz |
| 공급 전압 | — | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Read Modes | — | Standard, Dual, Quad SPI |
| Erase Granularity | — | 4 KB subsector / 64 KB sector |
| Grade | — | Automotive |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Program/Erase Speed | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |