NT5CC256M16CN-FLB vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CN-FLB بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16CN-FLB | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $14.32 |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb (256M x 16) | 4 Gb |
| جهد التغذية | 1.35 V (DDR3L) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1866 Mbps/pin |
| I/O Width | 16 bits | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| زمن الوصول CAS | 9, 10, 11, 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| العلبة | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (case) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Self-Refresh | Yes (auto and manual) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| التنظيم | — | 256M x 16 |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | — | 96 |