NT5CC256M16CN-FLB vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16CN-FLB tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLB NT5CC256M16CN-FLB - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLB - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16CN-FLB ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5CC256M16CN-FLB K4B4G1646E-BYMA
Marka Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb (256M x 16) 4 Gb
Besleme Gerilimi 1.35 V (DDR3L) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Veri Hızı 1866 Mbps (PC3-14900) 1866 Mbps/pin
I/O Width 16 bits —
Internal Banks 8 —
CAS Gecikme 9, 10, 11, 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
Paket 96-ball FBGA FBGA-96
İşletim Sıcaklığı -40°C to +95°C (case) 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
Self-Refresh Yes (auto and manual) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Organizasyon — 256M x 16
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montaj Türü — Surface Mount
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin