RTAX2000D-CQ352E vs RTAX2000DL-1CQ352E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ RTAX2000D-CQ352E بواسطة Microchip Technology و RTAX2000DL-1CQ352E بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Microchip Technology
RTAX2000D-CQ352E RTAX2000D-CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP-352 | Microchip

RTAX2000D-CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA CQFP-352 | Microchip

RTAX2000D-CQ352E ✓ نشط
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352E RTAX2000DL-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352E - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل RTAX2000D-CQ352E RTAX2000DL-1CQ352E
العلامة التجارية Microchip Technology Microchip Technology
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط نشط
Family RTAX-S/SL and RTAX-DSP Radiation-Tolerant FPGAs RTAX-DSP / RTAX-SL radiation-tolerant FPGAs
Equivalent System Gates 2000000 gates 2000000 gates
Logic Cells 29568 cells 29568
CLB Organization 19712 CLBs —
أقصى تردد للساعة 649 MHz —
Number of Inputs 166 —
عدد المخارج 166 —
Technology Digital CMOS, antifuse programmable Digital CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable)
العلبة CQFP-352 (352-terminal ceramic quad flat pack) 352-terminal CQFP (Ceramic Quad Flat Pack), column E lead finish
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Screening MIL-STD-883 Class (per distributor data) —
Program Type One-time programmable (antifuse) —
Embedded Memory Embedded SRAM with built-in FIFO control logic Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC
System Features Segmentable clocks, chip-wide highway routing, carry logic —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
جهد التغذية [DATA_NEEDED: core supply voltage] —
Radiation Tolerance (TID) [DATA_NEEDED: total ionizing dose rating] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Configurable Logic Blocks (CLBs) — 19712
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Core Supply Voltage — 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V)
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad(Si)
Total Ionizing Dose (Parametric rating) — 200 krad(Si)
User I/O — 166 input and 166 output terminals
Configuration — Live at power-up, no external configuration device
Speed Grade — -1 (standard)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر