UCC27322DGN+UCC27322DGNR vs UCC27322DGNR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC27322DGN+UCC27322DGNR بواسطة Texas Instruments و UCC27322DGNR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC27322DGN+UCC27322DGNR UCC27322DGN/DGNR - 9A Single LS MOSFET Driver w/ Enable | TI

UCC27322DGN/DGNR - 9A Single LS MOSFET Driver w/ Enable | TI

UCC27322DGN+UCC27322DGNR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC27322DGN+UCC27322DGNR UCC27322DGNR
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Single-channel low-side MOSFET/IGBT gate driver —
Number of Channels 1 1
Peak Output Current 9 A source / 9 A sink —
تكوين الخرج Split outputs (OUTH/OUTL) for independent turn-on/turn-off Split outputs (OUTH source, OUTL sink)
Input Voltage (VCC) 4 V to 15 V —
UVLO Threshold 4 V (typ) —
Input Thresholds TTL/CMOS compatible —
دبوس التمكين Yes (active-high) Yes (active-high)
Output Polarity Non-inverting —
زمن الصعود 20 ns (typ, 1.8 nF load) —
زمن السقوط 20 ns (typ, 1.8 nF load) —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +105 C (DGN); -40 C to +125 C (Q1 variant) -40 C to +105 C
العلبة 8-pin HVSSOP PowerPAD (DGN) 3.0 mm x 3.0 mm with exposed thermal pad HVSSOP-8 (DGN) PowerPAD
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Output Architecture TrueDrive bipolar/CMOS hybrid —
حالة RoHS Compliant Compliant
الوظيفة — Single low-side gate driver
Peak Source Current — 9 A
Peak Sink Current — 9 A
Supply Voltage (VDD) — 4 V to 15 V
Logic Input Type — Non-Inverting (TTL/CMOS)
VIL / VIH Thresholds — 1.1 V / 2.7 V
Rise Time (typical, 1.8 nF load) — 20 ns
Fall Time (typical, 1.8 nF load) — 20 ns
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر