VIPERGAN65 vs VIPERGAN50 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VIPERGAN65 بواسطة STMicroelectronics و VIPERGAN50 بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

STMicroelectronics
VIPERGAN65 VIPERGAN65 - 650V GaN Power Transistor | STMicroelectronics

VIPERGAN65 - 650V GaN Power Transistor | STMicroelectronics

VIPERGAN65 ✓ نشط
STMicroelectronics
VIPERGAN50 VIPERGAN50 - 50W GaN Power Stage | STMicroelectronics

VIPERGAN50 - 50W GaN Power Stage | STMicroelectronics

VIPERGAN50 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل VIPERGAN65 VIPERGAN50
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Transistors Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology GaN HEMT GaN (Gallium Nitride)
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 650 V
Continuous Drain Current (ID) [DATA_NEEDED: ID at 25C] —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] 150 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS range] —
Maximum Switching Frequency [DATA_NEEDED: fsw max] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Thermal Resistance (Junction-to-Case) [DATA_NEEDED: RthJC] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +150C —
العلبة PQFN 8x8 mm QFN 5x6 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant —
Integrated Gate Driver Yes —
Protection Features Overcurrent, Overtemperature, UVLO —
Maximum Output Power — 50 W
تردد التبديل — Up to 1 MHz
Gate Driver — Integrated
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40°C to +150°C
الحماية من فرط التيار — Yes
Overtemperature Protection — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
RoHS — Compliant
مستوى MSL — 3
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر